臺式半導體光學高輸出臭氧表面清洗改質裝置

產品名稱: 臺式半導體光學高輸出臭氧表面清洗改質裝置

產品型號: UVS2003N

產品特點: 臺式半導體光學高輸出臭氧表面清洗改質裝置
日本 Ribteras UVS2003N 是一款“高輸出、高均勻"的臺式 UV-臭氧清洗/表面改質裝置，專為半導體、光學、±3 %、臭氧濃度 ≥ 200 ppm，3-5 min 即可將有機污染層（光刻膠殘膠、指紋、硅氧烷）降至 <

臺式半導體光學高輸出臭氧表面清洗改質裝置 的詳細介紹

臺式半導體光學高輸出臭氧表面清洗改質裝置

日本 Ribteras UVS2003N 是一款“高輸出、高均勻"的臺式 UV-臭氧清洗/表面改質裝置，專為半導體、光學、度 ≥ 200 ppm，3-5 min 即可將有機污染層（光刻膠殘膠、指紋、硅氧烷）降至 < 1 nm 碳當量。

光源與光學

采用 200 W 高輸出低壓汞燈（主波 185 nm + 254 nm），搭配橢球冷鏡反射器，把 185 nm 短波 UV 集中投射到樣品表面，同步裂解 O? 生成高活性臭氧
燈管壽命 8 000 h，能量衰減 < 10 %；反射鏡鍍 MgF? 增透，185 nm 反射率 ≥ 85 %，保證高臭氧產率
樣品面照度：185 nm 波段 28-30 mW/cm2（距離 10 mm），254 nm 波段 45 mW/cm2，200 mm 有效區不均勻性 ±3 %（閉環校準后）

臭氧與反應腔

密閉石英反應腔，內置 O? 濃度傳感器，實時顯示 0-300 ppm；出廠設定 200 ppm，可通過氣流閥微調
腔體材料全 PFA + 石英，無金屬暴露，避免金屬離子污染；腔蓋帶安全聯鎖，開門自動關燈/停臭氧
單批處理時間：一般光刻膠殘膠 3 min，硅片表面 SAM 自組裝膜 5 min，AFM 基片 2 min 即可獲親水表面（接觸角 < 5°）

溫控與均勻性保證

樣品臺可水冷（10-25 ℃循環），防止 UV 熱累積；臺面具 5 點 UV 照度監測，閉環反饋到電源，實現燈功率實時補償，保證 ±3 % 面內均勻
可選加熱臺（RT-150 ℃），用于 UV-臭氧 + 低溫烘烤同步改質，縮短有機去除時間 30 %

控制與數據

7 吋彩色觸控屏，中文/英文/日文界面；20 組配方，可設 UV 功率、O? 濃度、處理時間、氮氣吹掃時間
USB-A ×2 + RS-485：實時輸出照度、臭氧、溫度曲線，支持 CSV 導出，對接 MES/實驗室 LIMS
記錄文件含 Recipe ID、操作員、開始/結束時間、平均照度、累計劑量，滿足 ISO 9001 追溯要求

硬件規格

主機：W 340 × D 450 × H 320 mm，25 kg，臺式；前方抽屜式樣品或 8″ 方片
電源：AC 100-240 V 50/60 Hz，500 W；排氧口 φ8 mm 快擰，可直接接入廠務中和塔或活性炭吸附器
壽命耗材：185 nm 燈管 8 000 h，O? 傳感器 2 年，反射鏡視污染程度 2-3 年擦拭/更換

典型行業應用

半導體：晶圓貼片前 UV-臭氧去有機污染，提升金-金熱壓鍵合強度 15 %
光學：透鏡鍍膜前 3 min 清洗，鍍層附著力拉拔力由 8 N 提到 12 N
MEMS：AFM 探針基片 2 min 親水化，接觸角從 65° 降到 < 3°，保證后續光刻膠鋪展均勻
OLED：玻璃基板 ITO 表面 5 min 改質，陽極功函數提升 0.2 eV，驅動電壓降低 0.3 V

選型提示

若需雙面同時處理，可選 UVS2003N-Dual，上下雙燈對射，單片通過式節拍 30 s
若處理 300 mm 晶圓，可升級 UVS3005N，照度不均仍保持 ±3 %，臭氧 250 ppm

一句話總結：UVS2003N 用“200 W 185 nm 高輸出燈 + 橢球反射鏡 + 閉環照度/臭氧雙控"在 200 mm 范圍內實現 ±3 % 均勻清洗，3-5 min 即可將有機污染降至亞納米級，是半導體、光學、MEMS 實驗室和產線實現“高均勻、低金屬污染"UV-臭氧表面改質的臺式主力機型。

日本 Ribteras UVS2003N 是一款“高輸出、高均勻"的臺式 UV-臭氧清洗/表面改質裝置，專為半導體、光學、min 即可將有機污染層（光刻膠殘膠、指紋、硅氧烷）降至 < 1 nm 碳當量。

光源與光學

采用 200 W 高輸出低壓汞燈（主波 185 nm + 254 nm），搭配橢球冷鏡反射器，把 185 nm 短波 UV 集中投射到樣品表面，同步裂解 O? 生成高活性臭氧
燈管壽命 8 000 h，能量衰減 < 10 %；反射鏡鍍 MgF? 增透，185 nm 反射率 ≥ 85 %，保證高臭氧產率
樣品面照度：185 nm 波段 28-30 mW/cm2（距離 10 mm），254 nm 波段 45 mW/cm2，200 mm 有效區不均勻性 ±3 %（閉環校準后）